中国氮化镓芯片制造商英诺赛科（Innoscience）据报正考虑最早今年来香港进行IPO，融资规模约3亿美元，报道指英诺赛科正与中金公司和招银国际就上市一事进行合作。

　　英诺赛科于2015年成立，设计、开发和制造涵盖从低压到高压（30V-650V）面向各种应用的高性能、高可靠性的氮化镓功率装置。公司拥有两座8寸矽基氮化镓生产基地，目前，英诺赛科8寸矽基氮化镓的产能达到每月1.5万片，并将逐渐扩大至每月7万片以上。

　　据网站介绍，其投资者包括英国晶片设计商Arm、中国电池巨头宁德时代、韩企SK集团和招银国际。